شانغهاي 18 أبريل 2025 (شينخوا) طور فريق بحثي صيني جهاز ذاكرة فلاش ثوريا يمكنه تخزين البيانات بسرعة بت واحد لكل 400 بيكو ثانية فقط، مسجلا رقما قياسيا جديدا لأسرع جهاز تخزين لأشباه الموصلات تم الإعلان عنه حتى الآن.

هذه الذاكرة غير المتطايرة، التي يطلق عليها اسم "بوكس"، تتفوق على أسرع تقنيات الذاكرة المتطايرة، والتي تستغرق حوالي 1 إلى 10 نانو ثانية لتخزين بت واحد من البيانات. والبيكو ثانية هو واحد من الألف من نانوثانية أو واحد من تريليون من الثانية.

وفي السابق كانت تعاني الذاكرات المتطايرة مثل "أس رام" و"دي رام" من فقدان البيانات عند انقطاع الطاقة، وتعتبر غير مناسبة للأنظمة منخفضة الطاقة، كما تعجز تقنيات الذاكرة غير المتطايرة التقليدية مثل ذاكرة الفلاش الموفرة للطاقة، عن تلبية متطلبات السرعة اللازمة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي.

ولحل هذه التحديات طور الباحثون في جامعة فودان ذاكرة فلاش ثنائية الأبعاد لقناة ديراك الجرافين باستخدام آلية مبتكرة، وهو ما ساهم في كسر القيود السابقة المرتبطة بسرعة تخزين المعلومات والوصول إليها. ونُشرت نتائج الدراسة يوم الأربعاء في مجلة "نيتشر" العلمية المرموقة.

قال تشو بينغ، الباحث الرئيسي في الدراسة من جامعة فودان "اعتمدنا على خوارزميات الذكاء الاصطناعي لتحسين ظروف اختبار العملية، مما ساعد في تطوير هذا الابتكار بشكل كبير وتمهيد الطريق لتطبيقاته المستقبلية".

وعلق مراجع الأقران في المجلة قائلا "هذا ابتكار أصيل يمهد الطريق أمام تصميم ذاكرة فلاش عالية السرعة يمكن استخدامها في تطبيقات مستقبلية متقدمة".